| IPT007N06NATMA1 |
| 在售 |
| PG-HSOF-8 |
| ZH2022053000035 |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Infineon(英飞凌） | |
| 封装 | PG-HSOF-8 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 300A（Tc） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 6V,10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 0.75mΩ@150A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 3.3V@280UA | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 16000pF@30V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 287nC@10V | |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 | |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
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