商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Infineon(英飞凌) | |
封装 | PQFN | |
FET类型 | N通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 100A(Tc) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V,10V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.4mΩ@100A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.9V@150UA | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6419pF@25V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 156W(Tc) | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 194nC@10V | |
供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) | |
封装/外壳 | 8-VQFN裸露焊盘 |