TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（额定值 200V）、TPS7H6013-SP（额定值 60V）和 TPS7H6023-SP（额定值 22V）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 的小传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。
TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。
栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
| Bus voltage (max) (V) | 200 |
| Power switch | GaNFET |
| Input VCC (min) (V) | 10 |
| Input VCC (max) (V) | 16 |
| Peak output current (A) | 1.3 |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 125 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 8 |
| Rating | Space |
| Propagation delay time (µs) | 0.035 |
| Rise time (ns) | 0.4 |
| Fall time (ns) | 4 |
| Iq (mA) | 0.5 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL/PWM |
| Features | Dead time control, Interlock, Internal LDO |
| Driver configuration | Half bridge |
| CFP (HBX) | 48 | 141.9552 mm² 16.74 x 8.48 |
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