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TI(德州仪器) UCC27311A-Q1
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UCC27311A-Q1

UCC27311A-Q1

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具有 8V UVLO 和使能功能的汽车类 120V 4A 半桥栅极驱动器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

UCC273 11A -Q1 汽车类半桥驱动器是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,绝对最大开关节点 (HS) 额定电压为 115V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力,UCC273 11A -Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。UCC273 11A -Q1 的开关节点(HS 引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。LI 和 HI 输入还独立于电源电压,且具有 20V 的绝对最大额定值。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,且彼此的开通和关断时间均为 4ns。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需添加分立式自举二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强制为低电平。

  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 温度等级 1(T J = –40°C 至 150°C)
    • HBM ESD 分类等级 1B
    • CDM ESD 分类等级 C3
  • 驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 MOSFET
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 3.7A 灌电流,4.5A 拉电流输出
  • 集成式自举二极管
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • TTL 兼容输入
  • 8V 至 17V VDD 工作电压范围(绝对最大值 20V),具有 UVLO 功能
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载)
  • 启用/禁用功能,且禁用时电流消耗较低 (7µA)
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 额定结温范围为 -40°C 至 +150°C
Bus voltage (max) (V)120
Power switchMOSFET
Input VCC (min) (V)8
Input VCC (max) (V)17
Peak output current (A)4
Operating temperature range (°C)-40 to 150
Undervoltage lockout (typ) (V)8
RatingAutomotive
Propagation delay time (µs)0.02
Rise time (ns)7.2
Fall time (ns)5.5
Iq (mA)0.001
Input thresholdTTL
Channel input logicTTL
Negative voltage handling at HS pin (V)-20
FeaturesEnable, Negative voltage handling
Driver configurationDual, Noninverting, TTL compatible
VSON (DRC)109 mm² 3 x 3
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