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TI(德州仪器) LM2103
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LM2103

LM2103

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具有 8V UVLO、死区时间和反相输入引脚的 107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器。

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

LM2103 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 INL 反相输入允许在双路或单路 PWM 输入应用中使用驱动器。

SH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力,可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2103 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能,以在上电和断电期间提供保护。

  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • 8-V GVDD 上的典型欠压锁定
  • BST 上的最大绝对电压为 107V
  • SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
  • 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
  • 典型固定内部死区时间为 475ns
  • 内置跨导保护
  • 115ns 典型传播延迟
  • 反相输入引脚 INL
Bus voltage (max) (V)107
Power switchIGBT, MOSFET
Input VCC (min) (V)9
Input VCC (max) (V)18
Peak output current (A)0.65
Operating temperature range (°C)-40 to 125
Undervoltage lockout (typ) (V)8
RatingCatalog
Fall time (ns)18
Iq (mA)0.0333
Input thresholdCMOS, TTL
Channel input logicInverting, Noninverting
Negative voltage handling at HS pin (V)-1
FeaturesDead time control
Driver configurationSingle input
SOIC (D)829.4 mm² 4.9 x 6
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