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TI(德州仪器) LM2105
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LM2105

LM2105

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具有 5V UVLO 和集成式自举二极管的 107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

LM2105 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 集成的自举二极管无需使用外部分立式二极管,从而节省布板空间并降低系统成本。

SH 引脚具有–1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力,可提升高噪声应用中的系统稳健性。 该器件采用小型热增强型 8 引脚 WSON 封装,可将驱动器放置在更靠近电机相位的位置,从而改善 PCB 布局。 LM2105 还采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能,以在上电和断电期间提供保护。

  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • 集成式自举二极管
  • 5-V GVDD 上的典型欠压锁定
  • BST 上的最大绝对电压为 107V
  • SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
  • 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
  • 115ns 典型传播延迟
Bus voltage (max) (V)107
Power switchIGBT, MOSFET
Input VCC (min) (V)5
Input VCC (max) (V)18
Peak output current (A)0.65
Operating temperature range (°C)-40 to 125
Undervoltage lockout (typ) (V)5
RatingCatalog
Propagation delay time (µs)0.125
Rise time (ns)28
Fall time (ns)18
Iq (mA)0.0333
Input thresholdCMOS, TTL
Channel input logicNoninverting
Negative voltage handling at HS pin (V)-1
FeaturesIntegrated bootstrap diode
Driver configurationDual inputs
SOIC (D)829.4 mm² 4.9 x 6
WSON (DSG)84 mm² 2 x 2
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