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DRV8300U

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具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

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DRV8300U 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

100V 三相半桥栅极驱动器
- 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
- MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
集成自举二极管 (DRV8300UD 器件)
支持反相和同相 INLx 输入
自举栅极驱动架构
- 750mA 拉电流
- 1.5A 灌电流
支持由高达 15 节串联电池供电的应用
支持标准 MOSFET 的更高 BSTUV（8V 典型值）和 GVDDUV（7.6V 典型值）阈值
SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
绝对最大 BSTx 电压高达 125V
SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
内置跨导保护
针对 QFN 封装型号，可通过 DT 引脚调节死区时间
针对 TSSOP 封装型号，固定插入 200ns 死区时间
支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
4ns 典型传播延迟匹配
紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装
具有电源块的高效系统设计
集成保护特性
- BST 欠压锁定 (BSTUV)
- GVDD 欠压 (GVDDUV)

Rating	Catalog
Architecture	Gate driver
Control interface	3xPWM, 6xPWM
Gate drive (A)	0.75
Vs (min) (V)	5
Vs ABS (max) (V)	100
Features	Bootstrap Diode
Operating temperature range (°C)	-40 to 125

TSSOP (PW)	20	41.6 mm² 6.5 x 6.4
VQFN (RGE)	24	16 mm² 4 x 4

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具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

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