DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。在 GVDD 驱动低侧 MOSFET 栅极的同时，集成式自举二极管和外部电容器可为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动拉电流和 1.5A 的栅极驱动灌电流。
栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx 相位引脚能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源的 BSTx 和 GHx 引脚可承受更高的正电压瞬变（绝对最大值为 115V）。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
针对 QFN 封装，可通过 DT 引脚调节死区时间
| Number of full bridges | 1 |
| Vs (min) (V) | 5 |
| Vs ABS (max) (V) | 115 |
| Control mode | Independent 1/2-Bridge |
| Control interface | Hardware (GPIO) |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| VQFN (RGE) | 24 | 16 mm² 4 x 4 |
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