DRV8300 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300D 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。DRV8300N 使用外部自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。
相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
| Rating | Catalog |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 3xPWM, 6xPWM |
| Gate drive (A) | 0.75 |
| Vs (min) (V) | 5 |
| Vs ABS (max) (V) | 100 |
| Features | Bootstrap Diode |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| TSSOP (PW) | 20 | 41.6 mm² 6.5 x 6.4 |
| VQFN (RGE) | 24 | 16 mm² 4 x 4 |
关注公众号，优惠活动早知道！
Copyright ©2023 wlxmall.com万联芯城版权所有 | 电信与信息服务业务经营许可证100798号 | 粤ICP备14012234号 | 投诉建议
客服电话：4000-306-326 文明办网文明上网举报电话：010-82615762 违法不良信息举报中心
| * 我的问题/建议： | |
| * 联系电话： | |
| 上传图片（选填）： |
请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件 |
| 投诉订单号（选填）： | |
购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
正在供货
加入购物车
