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TI(德州仪器) UCC27284-Q1
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UCC27284-Q1

UCC27284-Q1

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具有 5V UVLO 的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

UCC27284 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,UCC27284 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关,因此 UCC27284 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中,如需要,可实现两路输入及其各自输出的重叠。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压,因此提高了系统稳健性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作,这在许多高频应用中是必需的,并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中,集成自举二极管无需使用外部分立式二极管,节省布板空间和降低系统成本。 UCC27284-Q1 采用 SOIC 封装,适用于恶劣的系统环境。

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1(Tj = –40°C 至 150°C)
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1B
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入上的 5V 负电压处理能力
  • HS 上的 14V 负电压处理能力
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 集成式自举二极管
Bus voltage (max) (V)120
Power switchMOSFET
Input VCC (min) (V)5.5
Input VCC (max) (V)16
Peak output current (A)3.5
Operating temperature range (°C)-40 to 125
Undervoltage lockout (typ) (V)5
RatingAutomotive
Propagation delay time (µs)0.016
Rise time (ns)12
Fall time (ns)10
Iq (mA)0.002
Input thresholdTTL
Channel input logicTTL
Negative voltage handling at HS pin (V)-14
FeaturesEnable
TI functional safety categoryFunctional Safety-Capable
Driver configurationDual inputs
SOIC (D)829.4 mm² 4.9 x 6
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