DRV8343-Q1 器件是一款适用于三相应用的 集成式栅极驱动器。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用源极与漏极引脚支持对电磁阀应用进行独立 MOSFET 控制。DRV8343-Q1 使用集成式电荷泵为高侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压,并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8343-Q1 可由单一电源供电,支持适用于栅极驱动器的 5.5 至 60V 宽输入电源电压范围。
6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性,可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。 DRV8343-Q1 器件集成了三个低侧电流检测放大器,可在驱动级的全部三相位上进行双向电流检测。
提供了低功耗睡眠模式,实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、相位节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。
| Rating | Automotive |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM |
| Gate drive (A) | 1 |
| Vs (min) (V) | 5.5 |
| Vs ABS (max) (V) | 65 |
| Features | Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, Independent FET Control, SPI/I2C, Smart Gate Drive |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| HTQFP (PHP) | 48 | 81 mm² 9 x 9 |