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LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。

为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。