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TI(德州仪器) UCC27212A-Q1
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UCC27212A-Q1

UCC27212A-Q1

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具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

UCC27212A-Q1 驱动器是基于常用的 UCC27211 MOSFET 驱动器设计的。此外,UCC27212A-Q1 具有更宽的工作电压范围,可低至 5V,有助于降低功率损耗。

峰值输出上拉和下拉电流分别为 4A 拉电流和 4A 灌电流,而且上拉和下拉电阻均为 0.9Ω。这使得该器件能够驱动大功率 MOSFET,减少由于 MOSFET 的米勒平台导致的开关损耗。

输入结构可直接处理 -10V 电压,这提高了器件的鲁棒性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外,输入还独立于电源电压,且具有 20V 的最大额定值。

UCC27212A-Q1 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -18V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27212A-Q1 具有更高的迟滞,因而支持连接至具有增强型抗噪性能的模拟或数字 PWM 控制器。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,且彼此的开通和关断时间均为 4ns。

由于使用了一个额定电压为 100V 的片上自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强拉至低电平。

  • 符合汽车应用 要求
  • 具有符合 AECA-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 –40°C 至 +140°C
    • 器件 HBM 分类等级 2
    • 器件 CDM 分类等级 C6
  • 5V 关断欠压锁定 (UVLO)
  • 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 MOSFET
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 4A 拉电流,4A灌电流能力
  • 0.9Ω 上拉和下拉电阻
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • TTL 兼容输入
  • 5V 至 17V VDD 工作范围,(最大绝对值 20V)
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载)
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 典型延迟匹配
  • 采用 SOIC8(Powerpad) 封装
Bus voltage (max) (V)120
Power switchMOSFET
Input VCC (min) (V)5
Input VCC (max) (V)17
Peak output current (A)4
Operating temperature range (°C)-40 to 140
Undervoltage lockout (typ) (V)5
RatingAutomotive
Propagation delay time (µs)0.02
Rise time (ns)7.2
Fall time (ns)5.5
Iq (mA)0.001
Input thresholdTTL
Channel input logicTTL
Negative voltage handling at HS pin (V)-20
TI functional safety categoryFunctional Safety-Capable
Driver configurationDual inputs
HSOIC (DDA)829.4 mm² 4.9 x 6
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