LMG1205 设计用于驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高边和低边增强模式氮化镓 (GaN) FET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高边和低边输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高边偏置电压采用自举技术生成，内部钳位为 5V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LMG1205 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，都能够承受高达 14V 的输入电压。LMG1205 具有分离栅输出，可独立灵活地调节导通和关断强度。
此外，LMG1205 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LMG1205 的工作频率可高达数 MHz。LMG1205 采用 12 引脚 DSBGA 封装，具有紧凑的外形尺寸和超小的封装电感。
| Power switch | GaNFET, MOSFET |
| Input VCC (min) (V) | 4.5 |
| Input VCC (max) (V) | 5.5 |
| Peak output current (A) | 5 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 4 |
| Rating | Catalog |
| Propagation delay time (µs) | 0.035 |
| Rise time (ns) | 7 |
| Fall time (ns) | 3.5 |
| Iq (mA) | 0.09 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -5 |
| Features | Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side |
| Driver configuration | Half bridge |
| DSBGA (YFX) | 12 | 3.24 mm² 1.8 x 1.8 |
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