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UCC27211A 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。

峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

UCC27211A 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210A（伪 CMOS 输入）和 UCC27211A (TTL inputs) 已经增加了滞后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。

低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

UCC27211A 器件采用 8 引脚 SOIC (D) 和 8 引脚 VSON (DRM) 封装8 引脚 SO-PowerPAD 封装。