LM25101 高电压栅极驱动器专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。版本 A 提供高达 3A 的栅极驱动，而版本 B 和 C 分别提供 2A 和 1A 的栅极驱动。输出由 TTL 输入阈值独立控制。该器件集成了一个高压二极管，用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。
这些器件采用标准 8 引脚 SOIC、8 引脚 SO-PowerPAD、8 引脚 WSON、10 引脚 WSON 以及 8 引脚 MOSP PowerPAD 封装。
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| Bus voltage (max) (V) | 100 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (min) (V) | 9 |
| Input VCC (max) (V) | 14 |
| Peak output current (A) | 3 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Propagation delay time (µs) | 0.022 |
| Rise time (ns) | 8 |
| Fall time (ns) | 8 |
| Iq (mA) | 0.01 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -1 |
| Driver configuration | Dual, Noninverting |
| HSOIC (DDA) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| HVSSOP (DGN) | 8 | 14.7 mm² 3 x 4.9 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| WSON (DPR) | 10 | 16 mm² 4 x 4 |
| WSON (NGT) | 8 | 16 mm² 4 x 4 |
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