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UCC27518 和 UCC27519 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。 UCC27518 和 UCC27519 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为 17ns）。

当 VDD = 12V 时，UCC27518 和 UCC27519 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

UCC27518 和 UCC27519 具有 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围，以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。 当超出 VDD 工作范围时，VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路可使输出保持低电平。 该器件不仅能够工作在低于 5V 的低电压下，还具备同类产品中最佳的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。

UCC27518 和 UCC27519 的输入引脚阈值基于 CMOS 逻辑电路，其中阈值电压是 VDD 电源电压的函数。 输入阈值上限典型值 (V_IN-H) 是 V_DD的 55%，而输入阈值下限典型值 (V_IN-L) 是 V_DD 的 39%。 阈值上下限之间的宽滞后（通常为 V_DD的 16%）提供了出色的抗噪性，并且使用户能够通过在输入脉宽调制 (PWM) 信号与器件的 INx 引脚之间使用 RC 电路来引入延迟。

UCC27518 和 UCC27519 的 EN 引脚上还特有一个可悬空的使能功能。 将 EN 引脚置于未连接状态，可分别实现 UCC27518，UCC27519 与 TPS2828，TPS2829 之间的引脚兼容性。 EN 引脚的电压阈值是固定的，不会随 V_DD 引脚偏置电压变化。 使能阈值上限典型值 (V_EN-H) 为 2.1V，而使能阈值下限典型值 (V_EN-L) 为 1.25V。