UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器,但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在,输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。
UCC2721x 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -18V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210(伪 CMOS 输入)和 UCC27211(TTL 输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。
由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。
两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm × 4mm SON-8 (DRM) 和 SON-10 (DPR) 封装。
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| Bus voltage (max) (V) | 110 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (min) (V) | 8 |
| Input VCC (max) (V) | 17 |
| Peak output current (A) | 4 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 140 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Propagation delay time (µs) | 0.02 |
| Rise time (ns) | 8 |
| Fall time (ns) | 7 |
| Iq (mA) | 0.001 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -12 |
| Driver configuration | Dual, Noninverting, TTL compatible |
| HSOIC (DDA) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| VSON (DRM) | 8 | 16 mm² 4 x 4 |
| WSON (DPR) | 10 | 16 mm² 4 x 4 |