UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器，但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。
UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值，而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。
两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPad SOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、9 引脚 SON-9 (DRC) 和 10 引脚 SON-10 (DPR) 五种封装。
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| Bus voltage (max) (V) | 110 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (min) (V) | 8 |
| Input VCC (max) (V) | 17 |
| Peak output current (A) | 3 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 140 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Propagation delay time (µs) | 0.02 |
| Rise time (ns) | 8 |
| Fall time (ns) | 7 |
| Iq (mA) | 0.001 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -15 |
| Features | Negative voltage handling |
| Driver configuration | Noninverting |
| HSOIC (DDA) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| VSON (DRC) | 9 | 9 mm² 3 x 3 |
| VSON (DRM) | 8 | 16 mm² 4 x 4 |
| WSON (DPR) | 10 | 16 mm² 4 x 4 |
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