LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。
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| Bus voltage (max) (V) | 90 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (min) (V) | 8 |
| Input VCC (max) (V) | 14 |
| Peak output current (A) | 1 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Propagation delay time (µs) | 0.025 |
| Rise time (ns) | 15 |
| Fall time (ns) | 15 |
| Iq (mA) | 0.01 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -1 |
| Driver configuration | Dual, Independent |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| WSON (NGT) | 8 | 16 mm² 4 x 4 |
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