LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制，并提供过流和过压保护功能。4 V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控制 (HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压事件时允许负载断开（开/关控制），同时理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二极管，从而通过阻止反向电流从输出端流到输入端来实现输入反极性保护和输出电压保持。该器件具有集成的电流检测放大器，通过断路器功能提供可调节的过流和短路保护。该器件具有可调节过压和欠压保护功能，可防止电源瞬变。LM74930-Q1 有一个 MODE 引脚可用于选择性地启用或禁用反向电流阻断功能。
采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 65 |
| Number of channels | 1 |
| Features | Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Surge protection |
| Iq (typ) (mA) | 0.65 |
| FET | External back-to-back FET |
| IGate source (typ) (µA) | 18500 |
| IGate sink (typ) (mA) | 2670 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Automotive |
| Shutdown current (ISD) (mA) (A) | 0.003 |
| Device type | Ideal diode controller |
| Product type | Ideal diode controller |
| VQFN (RGE) | 24 | 16 mm² 4 x 4 |
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