LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成的电流检测放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时，器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 65 |
| Number of channels | 1 |
| Features | Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Under voltage lock out |
| Iq (typ) (mA) | 0.63 |
| FET | External back-to-back FET |
| IGate source (typ) (µA) | 18500 |
| IGate sink (typ) (mA) | 2670 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Automotive |
| Shutdown current (ISD) (mA) (A) | 0.00287 |
| Device type | Ideal diode controller |
| Product type | Ideal diode controller |
| VQFN (RGE) | 24 | 16 mm² 4 x 4 |
很抱歉，暂时无法提供与“LM74912-Q1”系列相匹配的产品，您可以联系专属客服快速找货或在现货搜索框中重新搜索。
关注公众号，优惠活动早知道！
Copyright ©2023 wlxmall.com万联芯城版权所有 | 电信与信息服务业务经营许可证100798号 | 粤ICP备14012234号 | 投诉建议
客服电话：4000-306-326 文明办网文明上网举报电话：010-82615762 违法不良信息举报中心
| * 我的问题/建议： | |
| * 联系电话： | |
| 上传图片（选填）： |
请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件 |
| 投诉订单号（选填）： | |
购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
正在供货
