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TI(德州仪器) TPS7H3302-SEP
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TPS7H3302-SEP

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耐辐射、2.3V 至 3.5V 输入、3A 灌电流和拉电流 DDR 终端 LDO 稳压器

产品详情
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  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TPS7H3302 是一款具有内置 VTTREF 缓冲器的耐辐射双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门设计用于为单板计算机、固态记录器和有效载荷处理等航天 DDR 端接应用提供完整的紧凑型低噪声解决方案。

TPS7H3302 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接应用。凭借快速瞬态响应,TPS7H3302 VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供非常稳定的电源。TPS7H3302 还包含一个用于跟踪 VTT 的内置 VTTREF 电源,以进一步减小解决方案尺寸。为了实现简单的电源时序,TPS7H3302 中集成了使能输入和电源正常输出 (PGOOD)。使能信号还可用于在挂起至 RAM (S3) 断电模式时使 VTT 放电。

  • 提供 QMLP TPS7H3302-SP 标准微电路图 (SMD),5962R14228
  • 提供增强型航天塑料封装供应商项目图,VID V62/22615
  • 电离辐射总剂量 (TID) 特性
    • 耐辐射保障 (RHA),耐受高达 100krad(Si) 或 50krad(Si) 的电离辐射总剂量 (TID)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于 LET 的抗扰度 = 70MeV-cm 2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子翻转 (SEU) 特性值高达 70MeVcm 2/mg
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接应用
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • 低至 0.9V 的独立低压输入 (VLDOIN),可提高电源效率
  • 3A 灌电流和拉电流终端稳压器
  • 可实现电源时序的使能输入和电源正常输出
  • VTT 终端稳压器
    • 输出电压范围:0.5 至 1.75 V
    • 3A 灌电流和拉电流
  • 具有检测输入的精密集成分压器网络
  • 遥感 (VTTSNS)
  • VTTREF 缓冲基准
    • 相对于 VDDQSNS (±3mA) 的精度为 49% 至 51%
    • ±10mA 灌电流和拉电流
  • 集成了欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL) 功能
  • 塑料封装
DDR memory typeDDR2, DDR3, DDR4
Control modeS3, S4/S5
Iout VTT (max) (A)3
Iq (typ) (mA)18
OutputVREF, VTT
Vin (min) (V)0.9
Vin (max) (V)3.5
FeaturesComplete Solution, Shutdown Pin for S3
RatingSpace
Operating temperature range (°C)-55 to 125
Regulator typeLinear Regulator
Vin bias (max) (V)3.5
Vin bias (min) (V)2.375
Vout VTT (min) (V)0.6
HTSSOP (DAP)3289.1 mm² 11 x 8.1
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