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TI(德州仪器) TPS7H2221-SEP
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TPS7H2221-SEP

TPS7H2221-SEP

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抗辐射、1.6V 至 5.5V 输入、1.25A 负载开关

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET,并且支持 1.25A 的最大持续电流。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统定序完成。按计划将该引脚驱动为高电平 (VON>VIH) 之后,便会断开智能下拉电阻,以防止不必要的功率损耗。

TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性,因此可保护自己免受输出短路事件的影响。

TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装,工作环境温度范围为 -55°C 至 125°C。

  • 提供供应商项目图,VID V62/22609
  • 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的 TID RLAT(辐射批次验收测试):20krad (Si)
  • 确定了单粒子效应 (SEE)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
  • 输入电压范围 (VIN):1.6 至 5.5V
  • 建议持续电流 (IMAX):1.25A
  • 导通电阻 (RON)
    • VIN = 5V 时典型值为 116mΩ
    • VIN = 3.3V 时典型值为 115mΩ
    • VIN = 1.8V 时典型值为 133mΩ
  • 输出短路保护 (ISC):3A(典型值)
  • 低功耗:
    • 导通状态 (IQ):8.3µA(典型值)
    • 关闭状态 (ISD):3nA(典型值)
  • 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON):
    • 5V 时的 tON:3.61mV/µs 下为 1.68ms
    • 3.3V 时的 tON:2.91mV/µs 下为 1.51ms
    • 1.8V 时的 tON:2.15mV/µs 下为 1.32ms
  • 可调节输出放电和下降时间:
    • VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω(典型值)
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个组装和测试基地
    • 一个制造基地
    • 军用级(-55°C 到 125°C)温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知 (PCN)
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型塑封实现低释气
Number of channels1
Vin (min) (V)1.6
Vin (max) (V)5.5
Imax (A)1.25
Ron (typ) (mΩ)90
Shutdown current (ISD) (typ) (µA)0.002
Quiescent current (Iq) (typ) (µA)8
Soft startFixed Rise Time
Current limit typeFixed
FeaturesQuick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown
RatingSpace
Operating temperature range (°C)-55 to 125
FETInternal
Device typeLoad switch
FunctionInrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown
SOT-SC70 (DCK)64.2 mm² 2 x 2.1
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