LM66200 是一款双输入理想二极管器件，具有 1.6V 至 5.5V 的额定电压和每通道 2.5A 的最大额定电流。该器件使用 N 沟道 MOSFET 在电源之间切换，同时在第一次施加电压时提供受控的压摆率。
凭借 1.32µA（典型值）的低静态电流和 50nA（典型值）的低待机电流，LM66200 适用于其中一个输入由电池供电的系统。这些低电流延长了电池的使用寿命和续航时间。
LM66200 采用自动二极管模式，可为电压最高的电源分配优先级，并将其输送至输出端。低电平有效使能引脚 (ON) 可禁用两个通道，允许用户在无需任一电源的情况下将器件设为关断模式。
| Vin (min) (V) | 1.6 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Number of channels | 2 |
| Features | Gate ON/OFF control, Inrush current control, Power good signal, Reverse current blocking, Thermal shutdown |
| Iq (typ) (mA) | 0.0013 |
| Iq (max) (mA) | 0.0044 |
| FET | Integrated single FET |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Catalog |
| Imax (A) | 2.5 |
| Shutdown current (ISD) (mA) (A) | 0.0003 |
| Device type | Ideal diode controller |
| Product type | Ideal diode controller |
| SOT-5X3 (DRL) | 8 | 3.36 mm² 2.1 x 1.6 |
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