LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 65 |
| Number of channels | 2 |
| Features | Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (typ) (mA) | 0.412 |
| Iq (max) (mA) | 0.495 |
| FET | External back-to-back FET |
| IGate source (typ) (µA) | 20000 |
| IGate sink (typ) (mA) | 2670 |
| IGate pulsed (typ) (A) | 2.6 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (typ) (mV) | -4.5 |
| Design support | EVM, Simulation Model |
| Rating | Automotive |
| Imax (A) | 300 |
| VGS (max) (V) | 15 |
| Shutdown current (ISD) (mA) (A) | 0.003 |
| Device type | Ideal diode controller |
| Product type | Ideal diode controller |
| WSON (DRR) | 12 | 9 mm² 3 x 3 |
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