LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。
LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
| VDS (max) (V) | 600 |
| RDS(on) (mΩ) | 50 |
| ID (max) (A) | 12 |
| Features | Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 150 |
| VQFN (RWH) | 32 | 64 mm² 8 x 8 |
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