TPS65296 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 LPDDR4/LPDDR4X 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 LPDDR4/LPDDR4X 加电和断电顺序要求。TPS65296 采用两个同步降压转换器(VDD1 和 VDD2)和一个 1.5A LDO (VDDQ)。
TPS65296 采用 D-CAP3™ 模式,开关频率为 600kHz,可实现快速瞬态响应、良好的负载/线路调节,并支持陶瓷输出电容器,而无需外部补偿电路。
TPS65296 利用内部的低 Rdson 电源 MOSFET 提供了丰富的功能和很高的效率。它支持灵活的电源状态控制,在 S3 状态下将 VDDQ 置于高阻抗状态,在 S4/S5 状态下对 VDD1、VDD2 和 VDDQ 进行放电。全面的保护特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。该器件采用热增强型 18 引脚 HotRod™ VQFN 封装,并且设计用于在 –40°C 至 125°C 的结温范围内工作。
| DDR memory type | LPDDR4, LPDDR4X |
| Control mode | D-CAP3 |
| Iout VDDQ (max) (A) | 8 |
| Iout VTT (max) (A) | 1.5 |
| Iq (typ) (mA) | 0.15 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (min) (V) | 4.5 |
| Vin (max) (V) | 18 |
| Features | Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Regulator type | Step-Down Module |
| Vin bias (max) (V) | 16 |
| Vin bias (min) (V) | 4.5 |
| Vout VTT (min) (V) | 0.6 |
| VQFN-HR (RJE) | 18 | 9 mm² 3 x 3 |