LM66100 是单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管,非常适用于各种 解决方案。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET,并且支持 1.5A 的最大持续电流。
该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时,该器件被禁用并且 MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压比较低时,MOSFET 开启。LM66100 还具有反极性保护 (RPP) 功能,该功能可以保护器件不受误接线输入的影响,例如电池装反。
可在 ORing 配置中使用两个 LM66100 器件,其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中,该器件将最高输出电压传递到输出端,同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压,以确保内部电压比较器成功阻止反向电流。
LM66100 采用标准 SC-70 封装,工作结温范围为 –40°C 至 125°C。
| Vin (min) (V) | 1.5 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Number of channels | 1 |
| Features | Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (typ) (mA) | 0.00015 |
| Iq (max) (mA) | 0.0003 |
| FET | Integrated single FET |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Design support | EVM, Simulation Model |
| Rating | Catalog |
| Imax (A) | 1.5 |
| Shutdown current (ISD) (mA) (A) | 0.00012 |
| Device type | Ideal diode controller |
| Product type | Ideal diode controller |
| SOT-SC70 (DCK) | 6 | 4.2 mm² 2 x 2.1 |