TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。TPS65295 将两个同步降压转换器(VPP 和 VDDQ)与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 开关频率的 D-CAP3™模式,此模式可在无需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支持陶瓷输出电容器。
VTTREF 跟踪 ½ VDDQ 的精度优于 0.8%。VTT 可同时提供 1A 持续灌电流和拉电流功能,而仅需 10µF 的陶瓷输出电容。
TPS65295 可提供丰富的功能和卓越的电源性能。它支持灵活功耗状态控制,将 VTT 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电。另外还提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。此器件采用热增强型 18 引脚 HotRod™VQFN 封装,额定结温范围为 –40°C 至 125°C。
| DDR memory type | DDR4 |
| Control mode | D-CAP3 |
| Iout VDDQ (max) (A) | 8 |
| Iout VTT (max) (A) | 1 |
| Iq (typ) (mA) | 0.15 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (min) (V) | 4.5 |
| Vin (max) (V) | 18 |
| Features | Complete Solution |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Regulator type | Step-Down Converter |
| Vin bias (max) (V) | 16 |
| Vin bias (min) (V) | 4.5 |
| Vout VTT (min) (V) | 0.6 |
| VQFN-HR (RJE) | 18 | 9 mm² 3 x 3 |