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TI(德州仪器) CSD86336Q3D
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CSD86336Q3D

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采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。


  • 半桥电源块
  • 12A 电流下系统效率高达 93.0%
  • 工作电流高达 20A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
VGS (V)10
VDS (V)25
Power loss (W)1.8
Ploss current (A)15
ID - continuous drain current at TA=25°C (A)20
Operating temperature range (°C)-55 to 150
FeaturesPower supply
Duty cycle (%)Low
RatingCatalog
VSON-CLIP (DPB)810.89 mm² 3.3 x 3.3
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