此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -20 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 76 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 125 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 260 |
| Id peak (max) (A) | -13.6 |
| Id max cont (A) | -3.6 |
| QG (typ) (nC) | 1.02 |
| QGD (typ) (nC) | 0.09 |
| QGS (typ) (nC) | 0.45 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.75 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 3.6 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJN) | 3 | 0.414 mm² 0.69 x 0.6 |
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