CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 21.9 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 16.9 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 89 |
| QG (typ) (nC) | 13.4 |
| QGD (typ) (nC) | 5.8 |
| QGS (typ) (nC) | 4.8 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.7 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 10 |
| ID - package limited (A) | 10 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSON (DTD) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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