这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗， 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 16.9 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 68 |
| QG (typ) (nC) | 6 |
| QGD (typ) (nC) | 1.3 |
| QGS (typ) (nC) | 1.5 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.9 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 25 |
| ID - package limited (A) | 22 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| WSON (DQK) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |
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