这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。
| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 9.9 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 15 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 40 |
| Id peak (max) (A) | -71 |
| Id max cont (A) | -7.4 |
| QG (typ) (nC) | 6.5 |
| QGD (typ) (nC) | 1 |
| QGS (typ) (nC) | 1.2 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.7 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 7.4 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YMG) | 4 | 1.3456 mm² 1.16 x 1.16 |
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