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TI(德州仪器) CSD88584Q5DC
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CSD88584Q5DC

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采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD88584Q5DC 40V 电源块是一款针对手持设备、无绳园艺工具和电动工具等高电流电机控制应用的优化设计。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术来更大限度地减小寄生电感,同时采用节省空间的散热增强型 DualCool™ 5mm × 6mm 封装,可提供完整半桥。利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用通过封装顶部散发 PCB 热量,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热性能。

  • 半桥电源块
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 低 R DS(ON),可更大限度地降低传导损耗
    • 电流为 35A 时,P Loss 为 2.4W
  • DualCool™ 散热增强型封装
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子镀层
VGS (V)20
VDS (V)40
Power loss (W)2.4
Ploss current (A)35
ID - continuous drain current at TA=25°C (A)50
Operating temperature range (°C)-55 to 150
FeaturesMotor control
Duty cycle (%)High
RatingCatalog
VSON-CLIP (DMM)2230 mm² 6 x 5
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