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TI(德州仪器) CSD88599Q5DC
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CSD88599Q5DC

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采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD88599Q5DC 60V 电源块是用于高电流电机控制应用的经优化设计,这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 的堆叠裸片技术,以最大限度地减小寄生电感,同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热 性能。


  • 半桥电源块
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 低 RDS(ON),可实现最小的传导损耗
    • 电流为 30A 时,PLoss 为 3.0W
  • DualCool™热增强型封装
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
VGS (V)20
VDS (V)60
Power loss (W)3
Ploss current (A)30
ID - continuous drain current at TA=25°C (A)40
Operating temperature range (°C)-55 to 150
FeaturesMotor control
Duty cycle (%)High
RatingCatalog
VSON-CLIP (DMM)2230 mm² 6 x 5
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