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TI(德州仪器) CSD87313DMS
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CSD87313DMS

CSD87313DMS

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。

  • 低源极至源极导通电阻
  • 双共漏极 N 通道 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
VDS (V)30
ConfigurationDual Common Drain
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)5.5
IDM - pulsed drain current (max) (A)120
QG (typ) (nC)28
QGD (typ) (nC)6
QGS (typ) (nC)6.3
VGS (V)10
VGSTH typ (typ) (V)0.9
ID - silicon limited at TC=25°C (A)17
ID - package limited (A)17
Logic levelYes
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
WSON-CLIP (DMS)810.89 mm² 3.3 x 3.3
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