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TI(德州仪器) CSD18510Q5B
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CSD18510Q5B

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
VDS (V)40
ConfigurationSingle
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)1.6
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)0.96
IDM - pulsed drain current (max) (A)400
QG (typ) (nC)118
QGD (typ) (nC)21
QGS (typ) (nC)28
VGS (V)20
VGSTH typ (typ) (V)1.7
ID - silicon limited at TC=25°C (A)300
ID - package limited (A)100
Logic levelYes
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
VSON-CLIP (DNK)830 mm² 6 x 5
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