这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
| VDS (V) | 40 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 2.6 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 1.7 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 400 |
| QG (typ) (nC) | 119 |
| QGD (typ) (nC) | 21 |
| QGS (typ) (nC) | 28 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.7 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 274 |
| ID - package limited (A) | 200 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| TO-263 (KTT) | 2 | 153.416 mm² 10.16 x 15.1 |
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