这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 30V、3.2mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
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| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 4.7 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 3.8 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 154 |
| QG (typ) (nC) | 20 |
| QGD (typ) (nC) | 4 |
| QGS (typ) (nC) | 6.9 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.3 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 101 |
| ID - package limited (A) | 60 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DNH) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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