该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
| VDS (V) | -12 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 35 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 47 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 80 |
| Id peak (max) (A) | -31 |
| Id max cont (A) | -3.3 |
| QG (typ) (nC) | 3.2 |
| QGD (typ) (nC) | 0.48 |
| QGS (typ) (nC) | 0.66 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.65 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 3.3 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJK) | 3 | 1.0877 mm² 1.49 x 0.73 |
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