这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。
| VDS (V) | 100 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 61 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 36 |
| QG (typ) (nC) | 4.3 |
| QGD (typ) (nC) | 0.8 |
| QGS (typ) (nC) | 1.6 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 3.2 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 13.7 |
| ID - package limited (A) | 15 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DNH) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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