该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据线应用中使用时，低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
| VDS (V) | 20 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 1460 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 1.6 |
| QG (typ) (nC) | 0.216 |
| QGD (typ) (nC) | 0.027 |
| QGS (typ) (nC) | 0.077 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.1 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 0.5 |
| ID - package limited (A) | 0.5 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJM) | 3 | 0.414 mm² 0.69 x 0.6 |
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