该 -20V、110mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 159 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 260 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 840 |
| Id peak (max) (A) | -10.4 |
| Id max cont (A) | -1.7 |
| QG (typ) (nC) | 0.7 |
| QGD (typ) (nC) | 0.1 |
| QGS (typ) (nC) | 0.26 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.95 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 1.7 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJM) | 3 | 0.414 mm² 0.69 x 0.6 |
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