LM5022-Q1 是一款高压、低侧 N 沟道 MOSFET 控制器,非常适合升压稳压器和 SEPIC 稳压器。该器件包含实现 单端 一次侧拓扑所需的全部功能。输出稳压基于电流模式控制,这不仅简化了环路补偿的设计,同时还能够提供固有输入电压前馈。LM5022-Q1 包含一个启动稳压器,该稳压器在 6V 至 60V 的宽输入电压范围内工作。PWM 控制器专为高速性能而设计,振荡器频率范围高达 2.2MHz,总传播延迟不到 100ns。其他 功能 包括误差放大器、精密基准、线路欠压锁定、逐周期电流限制、斜率补偿、软启动、外部同步功能以及热关断。LM5022-Q1 采用 10 引脚 VSSOP 封装。
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| Topology | Boost, Flyback, Forward, SEPIC |
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 60 |
| Vout (min) (V) | 1.25 |
| Vout (max) (V) | 300 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Switching frequency (min) (kHz) | 200 |
| Switching frequency (max) (kHz) | 2200 |
| Iq (typ) (mA) | 3.5 |
| Features | Enable, Frequency synchronization, Nonsynchronous rectification, UVLO adjustable |
| Duty cycle (max) (%) | 90 |
| Rating | Automotive |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Type | Controller |
| VSSOP (DGS) | 10 | 14.7 mm² 3 x 4.9 |