CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。
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| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 42 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 32.4 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 23 |
| QG (typ) (nC) | 2.2 |
| QGD (typ) (nC) | 0.5 |
| QGS (typ) (nC) | 1 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.6 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 5 |
| ID - package limited (A) | 5 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| WSON (DQK) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |
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