这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
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| VDS (V) | 20 |
| Configuration | Dual Common Drain |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 24 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 37 |
| QG (typ) (nC) | 6 |
| QGD (typ) (nC) | 1.4 |
| QGS (typ) (nC) | 1.2 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.9 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 7 |
| ID - package limited (A) | 7 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YME) | 4 | 1.7161 mm² 1.31 x 1.31 |
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