这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
引脚分配 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，| VDS (V) | 100 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 5.6 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 400 |
| QG (typ) (nC) | 44 |
| QGD (typ) (nC) | 5.6 |
| QGS (typ) (nC) | 17 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 2.6 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 136 |
| ID - package limited (A) | 200 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| TO-263 (KTT) | 2 | 153.416 mm² 10.16 x 15.1 |
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