这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。
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| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 6.5 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 12.1 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 150 |
| Id peak (max) (A) | -240 |
| Id max cont (A) | -18 |
| QG (typ) (nC) | 10.8 |
| QGD (typ) (nC) | 2.2 |
| QGS (typ) (nC) | 2.8 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.9 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | -104 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSON-CLIP (DQG) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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